Zinc Telluride ZnTe | Cu2Te GeTe InTe PbTe Featured Image

Цинк Телурид ЗнТе |Цу₂Те ГеТе ИнТе ПбТе

Опис

Цинк Телурид ЗнТе,99,999% 5Н чистоће, тачка топљења 1238,5°Ц, густина 6,34г/цм³, МВ 193.988, ЦАС 1315-11-3, је сивог или браонкастоцрвеног изгледа.Кристал ЗнТе је једињења полупроводника група ИИ-ВИ елемената у периодном систему, који се добија синтетички хемијским таложењем из паре ЦВД, зонским плутањем или другим методама итд. Његова нормална кристална структура је кубична, цинк-мешовита или сфалеритна типа , иако је могуће узгајати и хексагоналне форме сваког материјала.Цинк Телурид ЗнТе се широко користи у полупроводничким материјалима и инфрацрвеним материјалима, због свог П-типа и широког појаса од 2.28ев на собној температури, и има карактеристике фотопроводљивости, флуоресценције и тако даље.Цинк Телурид ЗнТе се такође може користити као извор оптичког исправљања ТХз зрачења и материјал за детекцију, у уређајима који емитују видљиво зелено светло, ЛЕД диоде, соларне ћелије, таласоводе, модулаторе, ласерске диоде, компоненте микроталасних генератора у оптоелектронском пољу, нелинеарне оптичке фоторефрактивне материјал и други оптоелектронски уређаји итд. Поред телуридних једињења налазе се многе примене као материјали електролита, полупроводнички додаци, КЛЕД екран, ИЦ поље итд. и друга поља материјала.

Испорука

Цинк Телурид ЗнТе 5Н 99,999% и бакар Телурид Цу₂Те, германијум Телурид ГеТе, Индијум Телурид ИнТе, Олово Телурид ПбТе са 4Н 99,99% и 5Н 99,999% чистоће у Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион могу се испоручити у облику праха -60месх, -80месх, грануле 1-1-6мм, груде 20 мм, комад, крупни кристал, шипка и подлога итд. или као прилагођена спецификација за постизање савршеног решења.

Упит сада

Детаљи

Ознаке

Техничка спецификација

Телуриде Цомпоундс

Телуриде Цомпоундсодносе се на металне елементе и металоидна једињења, који имају стехиометријски састав који се мења у одређеном опсегу да би се формирао чврсти раствор на бази једињења.Интерметално једињење има одличне особине између метала и керамике и постаје важна грана нових конструкцијских материјала.Телуридна једињења антимона Теллурид Сб₂Te₃, Алуминијум Телурид Ал₂Te₃, Арсениц Теллуриде Ас₂Te₃, Бизмут Телурид Би₂Te₃, Кадмијум Телурид ЦдТе, Кадмијум Цинк Телурид ЦдЗнТе, Кадмијум Манган Телурид ЦдМнТе или ЦМТ, Бакар Телурид Цу₂Те, Галлиум Теллурид Га₂Te₃, Германијум Телурид ГеТе, Индијум Телурид ИнТе, Олово Телурид ПбТе, Молибден Телурид МоТе₂, Тунгстен Теллуриде ВТе₂а његова (Ли, На, К, Бе, Мг, Ца) једињења и једињења ретких земаља могу се синтетизовати у облику праха, гранула, грудвица, шипки, супстрата, крупног кристала и монокристала…

Не.	Ставка	Стандардна спецификација
Не.	Ставка	Формула	Чистоћа	Величина и паковање
1	цинк телурид	ЗнТе	5N	-60месх, -80месх прах, 1-20мм неправилна груда, 1-6мм грануле, мета или бланк. 500г или 1000г у полиетиленској боци или композитној врећици, картонска кутија споља. Састав телуридних једињења је доступан на захтев. Посебне спецификације и примена могу се прилагодити за савршено решење
2	Арсениц Теллуриде	As₂Te₃	4Н 5Н
3	Антимон Теллуриде	Сб₂Te₃	4Н 5Н
4	Алуминијум Теллурид	Al₂Te₃	4Н 5Н
5	Бизмут телурид	Bi₂Te₃	4Н 5Н
6	Цоппер Теллуриде	Cu₂Te	4Н 5Н
7	Кадмијум телурид	ЦдТе	5Н 6Н 7Н
8	Кадмијум цинк телурид	ЦдЗнТе, ЦЗТ	5Н 6Н 7Н
9	Кадмијум-манган телурид	ЦдМнТе, ЦМТ	5Н 6Н
10	Галлиум Теллуриде	Ga₂Te₃	4Н 5Н
11	германијум телурид	ГеТе	4Н 5Н
12	Индиум Теллуриде	ИнТе	4Н 5Н
13	Леад Теллуриде	ПбТе	5N
14	Молибденум Теллуриде	МоТе₂	3Н5
15	Тунгстен Теллуриде	ВТе₂	3Н5

Цоппер Теллуриде

Цоппер Теллурид Цу₂Te, светлосиво-црна изглед, ЦАС 12019-52-2, МВ 254.692, густина 7,27 г/цм³, тачка топљења 900°Ц, без мириса, је халкогенид прелазног метала и 2Д слојевити материјал, стабилан на ваздуху на собној температури.Цоппер Теллурид Цу₂Кристално једињење са монокристалном орторомбском структуром, успешно је синтетизовано коришћењем електрохемијске методе и једноставног приступа заснованог на методи хемијског таложења ЦВД, има фасцинантна физичка, хемијска, механичка, електронска, фотоелектрична и термичка својства за различите технолошке примене у оптици, катализа, складиштење енергије, електронски уређаји и сензори, који се углавном користе у прецизним полупроводничким и оптоелектронским материјалима.Телурид бакра у Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион са 99,99% 4Н, 99,999% 5Н чистоћом је доступан у облику праха, гранула, грудвица, комада, крупног кристала и шипке итд. или као прилагођена спецификација за индустрију и истраживачке сврхе.

Индиум Теллуриде

Индијум Телурид ИнТе,молекулска тежина 242,4, густина 6,29 г/цм³, тачка топљења је 696°Ц, црни или плаво-сиви кристал, стабилан је на ваздуху, нерастворљив у хлороводоничкој киселини и растворљив у азотној киселини.Загревање у вакууму се лако испари, а пара је стабилна и не распада се.Индијум телурид има јаку анизотропију и металну проводљивост.Индијум Телурид ИнТе, једињење полупроводника, чија је структура тетрагоналног кристала ламеларна, припремљено хемијским таложењем из паре ЦВД поступком или Бриџменовом методом директном реакцијом индијума и телура.Једини комерцијално доступан слојевити ИнТе кристал, који има појас од око 0,6 еВ и показује јаку фотолуминисценцију.Индијум телурид је генерално материјал н-типа и углавном се користи у индустрији полупроводника, деловима сензора, премазима сочива и за израду инфрацрвених детектора или у друге истраживачке сврхе.Индијум Телурид ИнТе 99,99% 4Н, 99,999% 5Н чистоће у Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион су доступни у облику праха, грудвица, гранула, грудвица, кристала и шипки итд. за индустријску примену.

германијум телурид

германијум телурид ГеТе,је црни кристал, ЦАС 12025-39-7, МВ 200,24, густина 6,14г/цм³, тачка топљења 725°Ц, и нерастворљив у води.Кристал германијум телурида је јонски кристал и сложени полупроводник, који има директну ширину појаса од 0,23 еВ на собној температури и припада полупроводницима са уским енергетским размаком.Стабилан је под нормалном температуром и притиском и показује полуметалну проводљивост и фероелектричност.Постоје три главна кристална облика овог производа, α (ромбоедарска) и γ (орторомбска) структура на собној температури и високотемпературна β (кубична, камена сол) фаза, при чему је најчешћа α фаза.Германијум телурид, нови 2Д материјал, привукао је велику пажњу због својих одличних електронских и оптичких својстава.Припрема германијум телурида је загревањем германијума и телура до тачке топљења у вакуумској кварцној цеви и рекристализацијом да би се добио ГеТе, али монокристални ГеТе се може добити методом зонског плутања.Користи се као материјал за емисију и детекцију инфрацрвене светлости.У међувремену, германијум телурид је добро познати материјал за промену фазе ПЦМ који се користи у неиспарљивим меморијским ћелијама и радио-фреквентним прекидачима.Германијум телурид у компанији Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион може се испоручити са 99,99% 4Н, 99,999% 5Н чистоћом у облику праха, грудве, комада, крупног кристалног комада и шипке итд. или према прилагођеној спецификацији.

Леад Теллуриде

Олово Теллурид ПбТе,ЦАС 1314-91-6, МВ 334,80, тачка топљења 905°Ц, нерастворљив у води и киселини, јонски кристал, је полупроводник са директним појасом са ширином појаса од 0,32ев на собној температури.Материјали ПбТе се припремају Бриџменовом методом, методом хемијског механичког таложења и методом сублимационе рекристализације.Олово Телуииде ПбТе је поларни полупроводник који кристалише у решетки типа камене соли, показује необична својства у односу на друге полупроводнике који поседују високу диелектричну константу, велику покретљивост и уске основне празнине чији је температурни коефицијент позитиван.Леад Теллуриде је од техничког значаја за употребу у различитим инфрацрвеним оптоелектронским уређајима, примену инфрацрвених фотодетектора и за ласерске диоде са веома ниским прагом струје, а може се користити и као термоелектрични материјал.Олово Теллурид ПбТе у Вестерн Миметалс (СЦ) Цорпоратион може се испоручити у чистоћи 99,99% 4Н, 99,999% 5Н у облику праха, гранула, грудвица, комада, крупног кристала и шипке итд. или као прилагођена спецификација за индустрију и истраживачке сврхе.

Савети за набавку