ЦЗ Силицијум Вафер

Опис

ЦЗ Сингле Цристал Силицон Вафер је исечен из монокристалног силицијумског ингота извучен Цзоцхралски ЦЗ методом раста, који се најчешће користи за раст силицијумских кристала великих цилиндричних ингота који се користе у електронској индустрији за израду полупроводничких уређаја.У овом процесу, танко семе кристалног силицијума са прецизним толеранцијама оријентације се уводи у растопљено купатило силицијума чија се температура прецизно контролише.Кристал за семе се полако повлачи нагоре из растопа веома контролисаном брзином, кристално очвршћавање атома из течне фазе се дешава на интерфејсу, кристал за семе и лончић се ротирају у супротним смеровима током овог процеса повлачења, стварајући велики појединачни кристални силицијум са савршеном кристалном структуром семена.

Захваљујући магнетном пољу примењеном на стандардно извлачење ЦЗ ингота, монокристални силицијум Цзоцхралски МЦЗ изазван магнетним пољем има релативно нижу концентрацију нечистоћа, нижи ниво кисеоника и дислокације, и уједначену варијацију отпорности која добро функционише у електронским компонентама и уређајима високе технологије. производња у електронској или фотонапонској индустрији.

Испорука

ЦЗ или МЦЗ монокристална силицијумска плочица н-тип и п-тип проводљивости у компанији Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион могу се испоручити у пречнику од 2, 3, 4, 6, 8 и 12 инча (50, 75, 100, 125, 150, 200 и 300 мм), оријентације <100>, <110>, <111> са завршном обрадом површине лаппед, гравиране и полиране у паковању од пене кутије или касете са картонском кутијом споља.

Упит сада

Детаљи

Ознаке

Техничка спецификација

ЦЗ Силицијум Вафер

ЦЗ Сингле Цристал Силицон Вафер је основни материјал у производњи интегрисаних кола, диода, транзистора, дискретних компоненти, који се користе у свим врстама електронске опреме и полупроводничких уређаја, као и супстрата у епитаксијалној обради, супстрата СОИ вафла или производњи полуизолационих плоча, посебно великих пречника 200мм, 250мм и 300мм су оптимални за производњу ултра високо интегрисаних уређаја.Једнокристални силицијум се такође користи за соларне ћелије у великим количинама од стране фотонапонске индустрије, чија скоро савршена кристална структура даје највећу ефикасност конверзије светлости у електричну енергију.

Не.	Предмети	Стандардна спецификација
1	Величина	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Пречник мм	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Цондуцтивити	П или Н или не-допирани
4	Оријентација	<100>, <110>, <111>
5	Дебљина μм	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 или по потреби
6	Отпорност Ω-цм	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 итд
7	РРВ мак	8%, 10%, 12%
8	Примарна равна/дужина мм	Као СЕМИ стандард или по потреби
9	Секундарна равна/дужина мм	Као СЕМИ стандард или по потреби
10	ТТВ μм мак	10	10	10	10	10	10
11	Бов & Варп μм мак	30	30	30	30	30	30
12	Завршна обрада	Ас-цут, Л/Л, П/Е, П/П
13	Паковање	Пенаста кутија или касета унутра, картонска кутија споља.

Симбол	Si
Атомски број	14
Атомска маса	28.09
Категорија елемента	Металлоид
Група, Период, Блок	14, 3, стр
Кристална структура	Диамонд
Боја	Тамно сива
Тачка топљења	1414°Ц, 1687,15 К
Тачка кључања	3265°Ц, 3538,15 К
Густина на 300К	2,329 г/цм³
Интринзична отпорност	3.2Е5 Ω-цм
ЦАС број	7440-21-3
ЕЦ број	231-130-8

ЦЗ или МЦЗ једнокристална силиконска плочицан-тип и п-тип проводљивости у Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион се могу испоручити у величинама од 2, 3, 4, 6, 8 и 12 инча пречника (50, 75, 100, 125, 150, 200 и 300 мм), оријентација <100>, <110>, <111> са површинском завршном обрадом од сеченог, преклапаног, гравираног и полираног у паковању од пенасте кутије или касете са картонском кутијом споља.