Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

Кадмијум Арсенид Цд₃As₂|ГаАс ИнАс Нб₃As₂

Опис

Кадмијум Арсенид Цд₃As₂5N 99,999%,тамно сиве боје, са густином 6,211г/цм³, тачка топљења 721°Ц, молекул 487.04, ЦАС12006-15-4, растворљив у азотној киселини ХНО₃ и стабилност на ваздуху, је синтетизовани сложени материјал високе чистоће кадмијума и арсена.Кадмијум арсенид је неоргански полуметал из породице ИИ-В и испољава Нернстов ефекат.Кристал кадмијум арсенида узгајан Бриџмановом методом раста, неслојна, распрострањена Дирацова полуметална структура, је дегенерисани полупроводник Н-типа ИИ-В или полупроводник са уским размаком са високом покретљивошћу носача, ниском ефикасном масом и веома непараболичном проводљивошћу. трака.Кадмијум Арсенид Цд₃As₂или ЦдАс је кристална чврста супстанца и налази све више и више примене у полупроводницима и фотооптичком пољу као што су инфрацрвени детектори који користе Нернст ефекат, у танкослојним динамичким сензорима притиска, ласеру, ЛЕД диодама које емитују светлост, квантним тачкама, за праве магнеторезисторе и у фотодетекторима.Арсенидна једињења арсенида ГаАс, индијум арсенида ИнАс и ниобијум арсенида НбАс или Нб₅As₃наћи више примене као електролитски материјал, полупроводнички материјал, КЛЕД екран, ИЦ поље и друга поља материјала.

Испорука

Кадмијум Арсенид Цд₃As₂и галијум арсенид ГаАс, индијум арсенид ИнАс и ниобијум арсенид НбАс или Нб₅As₃у Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион са 99,99% 4Н и 99,999% 5Н чистоћом је у величини поликристалног микропраха -60месх, -80месх, наночестице, грудве 1-20мм, грануле 1-6мм, комад, празан, расути кристал и монокристал итд. ., или као прилагођена спецификација за постизање савршеног решења.

Упит сада

Детаљи

Ознаке

Техничка спецификација

Арсениде Цомпоундс

Арсениде Цомпоундс углавном се односе на металне елементе и металоидна једињења, који имају стехиометријски састав који се мења у одређеном опсегу да би се формирао чврсти раствор на бази једињења.Интерметално једињење има одличне особине између метала и керамике и постаје важна грана нових конструкцијских материјала.Поред галијум арсенида ГаАс, индијум арсенида ИнАс и ниобијум арсенида НбАс или Нб₅As₃такође се може синтетизовати у облику праха, гранула, грудвица, шипки, кристала и супстрата.

Не.	Ставка	Стандардна спецификација
Не.	Ставка	Чистоћа	Нечистоћа ППМ Макс	Величина
1	Кадмијум АрсенидЦд₃As₂	5N	Аг/Цу/Ца/Мг/Сн/Фе/Цр/Би 0,5, Ни/С 0,2, Зн/Пб 1,0	-60месх -80месх прах, 1-20мм грудва, 1-6мм грануле
2	Галијум Арсенид ГаАс	5Н 6Н 7Н	ГаАс композиција је доступна на захтев
3	Ниобијум арсенид НбАс	3Н5	Композиција НбАс је доступна на захтев
4	Индијум арсенид ИнАс	5Н 6Н	ИнАс композиција је доступна на захтев
5	Паковање	500г или 1000г у полиетиленској боци или композитној врећици, картонска кутија споља

Галлиум Арсениде

галијум арсенид ГаАс, једињени полупроводнички материјал ИИИ–В са директним размаком са кристалном структуром мешавине цинка, синтетисан је помоћу елемената галијума и арсена високе чистоће, и може да се исече и произведе у плочицу и бланко од монокристалних ингота узгојених методом вертикалног градијента замрзавања (ВГФ) .Захваљујући својој засићеној покретљивости хале и стабилности високе снаге и температуре, те РФ компоненте, микроталасне ИЦ-ове и ЛЕД уређаји које је направио постижу одличне перформансе у својим високофреквентним комуникационим сценама.У међувремену, његова ефикасност преноса УВ светлости такође омогућава да буде доказан основни материјал у фотонапонској индустрији.Галијев арсенид ГаАс плочица у Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион може се испоручити до 6" или 150 мм у пречнику са 6Н 7Н чистоћом, а доступна је и подлога механичког квалитета галијум арсенида. од 99,999% 5Н, 99,9999% 6Н, 99,99999% 7Н које обезбеђује Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион су такође доступни или као прилагођена спецификација на захтев.

Индијум Арсенид

Индијум арсенид ИнАс, полупроводник са директним зазором који кристалише у структури мешавине цинка, једињење са елементима индијума и арсена високе чистоће, узгојен методом течног инкапсулираног Чохралског (ЛЕЦ), може да се исече и произведе у плочицу од монокристалног ингота.Због ниске густине дислокација, али константне решетке, ИнАс је идеалан супстрат за даљу подршку хетерогеним структурама ИнАсСб, ИнАсПСб и ИнНАсСб или АлГаСб суперрешеткасте структуре.Због тога игра важну улогу у производњи инфрацрвених уређаја за емитовање таласа од 2-14 μм.Осим тога, врхунска покретљивост хале, али узак енергетски појас ИнАс-а, такође омогућава да постане одличан супстрат за хале компоненте или производњу других ласерских и радијационих уређаја.Индијум арсенид ИнАс у Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион са чистоћом од 99,99% 4Н, 99,999% 5Н, 99,9999% 6Н може се испоручити у подлози од 2" 3" 4" у пречнику. У међувремену, Индијум арсенид у поликристалној групи Вестерн Минметалс ( ) Корпорација је такође доступна или као прилагођена спецификација на захтев.

Ниобиум Арсениде

Nјобијум Арсенид Нб₅As₃ or НбАс,прљаво бела или сива кристална чврста супстанца, ЦАС бр. 12255-08-2, тежина формуле 653,327 Нб₅As₃и 167.828 НбАс, је бинарно једињење ниобијума и арсена са саставом НбАс,Нб5Ас3, НбАс4…итд синтетизовано ЦВД методом, ове чврсте соли имају веома високу енергију решетке и токсичне су због инхерентне токсичности арсена.Термичка анализа високих температура показује да је НдАс показао испаривање арсена при загревању. Ниобијум арсенид, Веил полуметал, је врста полупроводника и фотоелектричног материјала у апликацијама за полупроводнике, фотооптику, ласерске светлеће диоде, квантне тачке, оптичке сензоре и сензоре притиска, као међупроизводе и за производњу суперпроводника итд. Ниобијум Арсенид Нб₅As₃или НбАс у Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион са чистоћом од 99,99% 4Н се може испоручити у облику праха, гранула, грудвица, мете и кристала у расутом стању итд. или као прилагођена спецификација, коју треба чувати у добро затвореном, отпорном на светлост , суво и хладно место.