Индијум антимонид ИнСб

Опис

Iндијум Антимонид ИнСб, полупроводник из групе ИИИ–В кристалних једињења са структуром решетке од мешавине цинка, синтетизован је помоћу 6Н 7Н елемената високе чистоће индија и антимона, и узгаја се монокристал ВГФ методом или течним инкапсулираним Цзоцхралски ЛЕЦ методом из више зона рафинисаног поликристалног ингот-а који се може исећи и направити у облатне и накнадно блок.ИнСб је полупроводник са директним прелазом са уским појасом од 0,17 еВ на собној температури, високом осетљивошћу на таласну дужину од 1–5 μм и ултра високом мобилношћу у Халу.Индијум антимонид ИнСб н-тип, п-тип и полуизолациона проводљивост у Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион може се понудити у величини од 1″ 2″ 3″ и 4” (30мм, 50мм, 75мм, 100мм) пречника, оријентација < 111> или <100>, и са завршном обрадом површине вафера од резаног, преклапаног, гравираног и полираног.Индијум антимонид ИнСб мета пречника 50-80 мм са не-допираним н-типом је такође доступна.У међувремену, поликристални индијум антимонид ИнСб (мултикристални ИнСб) са величином неправилне грудве, или бланко (15-40) к (40-80)мм, и округла шипка од Д30-80мм такође се прилагођавају на захтев савршеном решењу.

Апликација

Индијум антимонид ИнСб је један идеалан супстрат за производњу многих најсавременијих компоненти и уређаја, као што су напредно решење за термичко снимање, ФЛИР систем, халл елемент и елемент ефекта магнетоотпорности, инфрацрвени систем за навођење пројектила, инфрацрвени фотодетекторски сензор са високим одзивом , високо прецизни магнетни и ротациони сензор отпорности, фокалне планарне низове, а такође прилагођен као извор терахерцног зрачења и у инфрацрвеном астрономском свемирском телескопу итд.

Упит сада

Детаљи

Ознаке

Техничка спецификација

Индиум Антимониде

ИнСб

Индијум антимонид супстрат(ИнСб подлога, ИнСб плочица) н-тип или п-тип у Вестерн Минметалс (СЦ) Цорпоратион може се понудити у величини од 1" 2" 3" и 4" (30, 50, 75 и 100 мм) пречника, оријентације <111> или <100> и са површином вафера са преклопљеним, угравираним, полираним завршним слојем Индијум антимонид Сингле Цристал шипка (ИнСб Моноцристал бар) се такође може испоручити на захтев.

Индиум АнтимонидеPолицристаллине (ИнСб Полицристаллине, или мултицристал ИнСб) са величином неправилне грудве, или бланк (15-40)к(40-80)мм такође се прилагођавају на захтев за савршено решење.

У међувремену, мета индијум антимонида (ИнСб мета) пречника 50-80 мм са не-допираним н-типом је такође доступна.

Не.	Предмети	Стандардна спецификација
1	Индијум антимонид супстрат	2"	3"	4"
2	Пречник мм	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Метод раста	ЛЕЦ	ЛЕЦ	ЛЕЦ
4	Цондуцтивити	П-тип/Зн, Ге допиран, Н-тип/Те-допиран, Недопиран
5	Оријентација	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Дебљина μм	500±25	600±25	800±25
7	Оријентација Равна мм	16±2	22±1	32,5±1
8	Идентификација Равни мм	8±1	11±1	18±1
9	Мобилност цм2/Вс	1-7Е5 Н/недопиран, 3Е5-2Е4 Н/Те-допиран, 8-0.6Е3 или ≤8Е13 П/Ге-допиран
10	Концентрација носача цм-3	6Е13-3Е14 Н/недопиран, 3Е14-2Е18 Н/Те-допиран, 1Е14-9Е17 или <1Е14 П/Ге-допиран
11	ТТВ μм мак	15	15	15
12	Лук μм мак	15	15	15
13	Деформација μм мак	20	20	20
14	Густина дислокације цм-2 мак	50	50	50
15	Завршна обрада	П/Е, П/П	П/Е, П/П	П/Е, П/П
16	Паковање	Контејнер за једну вафлу запечаћен у алуминијумској врећици.

Не.	Предмети	Стандардна спецификација
Не.	Предмети	Iндијум антимонид поликристални	Циљ индијског антимонида
1	Цондуцтивити	Ундопед	Ундопед
2	Концентрација носача цм^-3	6Е13-3Е14	1.9-2.1Е16
3	Мобилност цм²/Вс	5-7Е5	6.9-7.9Е4
4	Величина	15-40к40-80 мм	Д(50-80) мм
5	Паковање	У композитној алуминијумској торби, картонска кутија споља

Линеарна формула	ИнСб
Молекуларна тежина	236.58
Кристална структура	Цинк бленде
Изглед	Тамно сиви метални кристали
Тачка топљења	527 °Ц
Тачка кључања	Н/А
Густина на 300К	5,78 г/цм³
Енерги Гап	0,17 еВ
Интринзична отпорност	4Е(-3) Ω-цм
ЦАС број	1312-41-0
ЕЦ број	215-192-3

Индијум антимонид ИнСбвафер је један идеалан супстрат за производњу многих најсавременијих компоненти и уређаја, као што су напредно решење за термичко снимање, ФЛИР систем, елемент Хола и елемент ефекта магнетоотпорности, инфрацрвени систем за навођење пројектила, инфрацрвени фотодетекторски сензор са високим одзивом, висок - прецизни магнетни и ротациони сензор отпора, фокалне планарне низове, а такође прилагођен као извор терахерцног зрачења и у инфрацрвеном астрономском свемирском телескопу итд.